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我國(guó)自主研發(fā)5G微基站射頻芯片流片成功,正在封裝測(cè)試

作者:信息發(fā)布員 來(lái)源:東莞市華圳電子科技有限公司 時(shí)間:2020/4/30 11:34:45

HiNOC2.0是我國(guó)下一代有線射頻寬帶廣電接入標(biāo)準(zhǔn),南京宇都HiNOC2.0射頻/基帶芯片組可實(shí)現(xiàn)600兆每秒的下行速率,完全可與國(guó)際巨頭的同類產(chǎn)品對(duì)標(biāo)。

日前,科技日?qǐng)?bào)報(bào)道稱我國(guó)首個(gè)5G微基站射頻芯片YD9601,在南京宇都通訊科技有限公司經(jīng)過(guò)自主研發(fā)流片成功,目前正在進(jìn)行封裝測(cè)試。

5G基站分為宏基站和微基站兩種:

  • 5G宏基站主要用于室外覆蓋,5G微基站主要用于室內(nèi),發(fā)射功率較。ㄒ话200毫瓦以內(nèi)),廣泛用于機(jī)場(chǎng)高鐵等候區(qū)域、商業(yè)場(chǎng)所、商業(yè)樓宇、學(xué)校醫(yī)院、園區(qū)工廠和社區(qū)家庭等場(chǎng)景;

  • 5G微基站可以以較低成本有效解決室內(nèi)覆蓋區(qū)域的容量(如機(jī)場(chǎng)、高鐵和商業(yè)場(chǎng)等熱點(diǎn)區(qū)域)和覆蓋問題(如商業(yè)樓宇和家庭)。

“5G微基站射頻芯片項(xiàng)目是我們自主研發(fā)的有線射頻寬帶芯片組的拓展!眹(guó)家特聘專家、美國(guó)麻省理工學(xué)院博士王俊峰介紹說(shuō),在推出5G微基站射頻芯片之前,公司通過(guò)研發(fā)有線射頻寬帶HiNOC2.0芯片,擁有了長(zhǎng)期的射頻芯片技術(shù)積累。

據(jù)悉,HiNOC2.0是我國(guó)下一代有線射頻寬帶廣電接入標(biāo)準(zhǔn),南京宇都HiNOC2.0射頻/基帶芯片組可實(shí)現(xiàn)600兆每秒的下行速率,完全可與國(guó)際巨頭的同類產(chǎn)品對(duì)標(biāo)。在中國(guó)廣播科學(xué)研究院進(jìn)行的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試中,搭載這組芯片的設(shè)備在85dB的線路衰耗下仍可接入,相比對(duì)標(biāo)的國(guó)際巨頭同類產(chǎn)品,抗衰減能力提升了10dB左右,這使其更能適應(yīng)國(guó)內(nèi)復(fù)雜、惡劣的網(wǎng)絡(luò)環(huán)境。

據(jù)了解,去年4月中國(guó)工程院院士倪光南領(lǐng)銜的專家組對(duì)的HiiNOC2.0芯片組進(jìn)行技術(shù)鑒定,認(rèn)定該芯片組在系統(tǒng)性能上達(dá)到了國(guó)際同類產(chǎn)品的先進(jìn)水平,而其中射頻芯片部分性能優(yōu)于國(guó)際同類產(chǎn)品。

HINOC2.0芯片包括射頻芯片、終端基帶芯片、局端基帶芯片。

其中,YD6901是一款高集成度低功耗的CMOS 射頻收發(fā)芯片。該芯片符合HINOC2.0的規(guī)范,支持700MHz~1.1GHz頻段和128MHz信道帶寬,集成了頻率綜合器,發(fā)射器和高靈敏度接受器等關(guān)鍵模塊。發(fā)射器支持高達(dá)9dBm的發(fā)射功率,無(wú)需外接功放即可滿足千兆接入要求。

YDS6501/YDS6601 是一款高集成低功耗的高速基帶SoC。該芯片符合HINOC2.0 規(guī)范,支持128MHz信道帶寬和高達(dá)4096QAM的調(diào)制方式,可輕松實(shí)現(xiàn)1Gbps的高速接入。芯片集成了TDMA的調(diào)度器、高性能的物理層OFDM收發(fā)器、以太網(wǎng)接口等關(guān)鍵模塊,并可滿足DBA,802.1q等QoS要求。YDS6501/YDS6601與YD6901配合使用,可支持千兆上網(wǎng),4K高清視頻傳輸和VoIP等全方位通訊業(yè)務(wù),給用戶帶來(lái)完美的體驗(yàn)。

YD9601不光覆蓋700MHz廣電頻段,也兼容了工信部2月初剛剛頒發(fā)許可的3.3-3.4GHz的電信/聯(lián)通/廣電共享室內(nèi)頻段,可以說(shuō)是為5G時(shí)代室內(nèi)共享微基站量身定做的芯片。